问答题
生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么?
在升温环境里,通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应,可以在硅片上得到一层热生长的氧化层;沉积的氧化层可以通过外部供给氧气......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
问答题 什么是浅槽隔离(STI),它取代了什么工艺?
问答题 离子注入后进行退火工艺的原因是什么?
问答题 刻蚀工艺的目的是什么,这个区中最常用的设备是什么?