问答题
离子注入后进行退火工艺的原因是什么？
可使裸露的硅片表面生长一层新的阻挡氧化层；高温使得杂质向硅中移动；可使注入引入的损伤得到修复；使杂质原子与硅原子间的共价......
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问答题 刻蚀工艺的目的是什么，这个区中最常用的设备是什么？
问答题 简述有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域。
问答题 列出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个区域做简单的描述。
