判断题
制作MOS管时，一般先进行源的注入，再进行漏的注入。
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判断题 CMOS制作时，源、漏、栅等结构都做在场氧化区。
判断题 LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。
判断题 制备多晶硅之前先做一层薄氧，这层薄氧是栅氧。
