判断题
CMOS制作时，源、漏、栅等结构都做在场氧化区。
错误(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)
判断题 LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。
判断题 制备多晶硅之前先做一层薄氧，这层薄氧是栅氧。
判断题 制作场氧区的时候，氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。
