判断题 制作场氧区的时候，氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。

判断题 采用双阱工艺，可以实现PMOS和NMOS的独立控制。

判断题 利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅，可以使得MOS电路特性得到改善，阈值电压下降。