问答题
举出氧化工艺中掺氯的两个优点。
优点：可以中和界面处的电荷堆积；能使氧化速率提高10%到15%。
问答题 列出Si/Si02界面处的4种氧化物电荷。
问答题 如果热生长氧化层厚度为2000A，那么Si消耗多少？
问答题 列出热氧化物的硅片制造的六种用途，并给出各种用途的目的。
