单项选择题
以下工艺中,方块电阻是一个重要的参数,一般用于衡量()工艺中杂质情况。
A.氧化B.扩散C.光刻D.刻蚀
单项选择题 在制作MOS管时,采用LOCOS工艺容易出现()。
单项选择题 光刻时,将掩模版直接放在晶圆表面,与表面的光刻胶接触,该种光刻方式称为()。
单项选择题 源漏注入之后,必须进行()工艺,修复晶格损伤,激活杂质。