单项选择题
在制作MOS管时,采用LOCOS工艺容易出现()。
A.沟道效应B.鸟嘴效应C.寄生效用D.闩锁效应
单项选择题 光刻时,将掩模版直接放在晶圆表面,与表面的光刻胶接触,该种光刻方式称为()。
单项选择题 源漏注入之后,必须进行()工艺,修复晶格损伤,激活杂质。
单项选择题 未进行掺杂的二氧化硅薄膜,通常简写为()。