单项选择题
源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。
A.氧化B.快速热处理C.退火D.扩散
单项选择题 未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。
单项选择题 我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。
单项选择题 显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。
