多项选择题
外延双阱工艺的优点包括（）。
A.实现N阱和P阱独立控制B.更平坦的表面C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响D.抑制闩锁效应
多项选择题 CMOS制作时，常常用作钝化层的材料是（）。
多项选择题 集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有（）。
单项选择题 CMOS工艺中，将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是（）。
