单项选择题
PVD与CVD比较，下列哪种说法正确（）
A.CVD普适性更好B.PVD薄膜的保形性更好C.CVD工艺温度更低D.PVD薄膜与衬底的粘附性较差
单项选择题 下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是（）
单项选择题 CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是（）
多项选择题 IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象（）
