单项选择题
CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是（）
A.气相杂质融入熔体再进入了硅锭B.坩埚材料分解出的氧会进入硅锭C.多晶硅原料纯度不够高D.干锅清洗不干净造成
多项选择题 IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象（）
判断题 在SiO2/Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度，否则SiO2被清除的同时硅也大量被侵蚀。
多项选择题 关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率（）
