单项选择题
下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是()
A.空位B.填隙杂质C.自填隙D.替位杂质
单项选择题 CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是()
多项选择题 IC采用铝互连系统时,下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象()
判断题 在SiO2/Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度,否则SiO2被清除的同时硅也大量被侵蚀。