多项选择题
IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象（）
A.在淀积的铝膜中掺入约1%SiB.在淀积的铝膜中掺入约1%CuC.在铝膜表面覆盖Si3N4D.在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜
判断题 在SiO2/Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度，否则SiO2被清除的同时硅也大量被侵蚀。
多项选择题 关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率（）
多项选择题 溅射与蒸镀比较，下列那种说法正确（）
