多项选择题
蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因（）
A.为了避免蒸发分子（或原子）被氧化B.为了降低镀膜中的杂质C.为了减小蒸发分子（或原子）的平均自由程D.为了制备的镀膜表面更平坦
单项选择题 PVD与CVD比较，下列哪种说法正确（）
单项选择题 下列晶体缺陷中对其扩散速率影响最大的是（）
单项选择题 CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是（）
