填空题
在硅表面LPCVD-Si3N4之前,都会先热生长薄氧化层,它被称为()层。
缓冲
填空题 铝膜作为器件的内电极,有抗电迁移性()的特点。
填空题 干法刻蚀的方式主要有:溅射刻蚀、等离子体刻蚀、()刻蚀三种。
填空题 多组分多源蒸发的方法有:同时蒸发,()蒸发两种。