填空题 多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发，（）蒸发两种。

填空题 制备TiO2等介质薄膜可以采用（）溅射方法。

填空题 在硅片上热氧化0.5μm厚的氧化层时，硅片增厚了（）μm。