填空题
多组分多源蒸发的方法有:同时蒸发,()蒸发两种。
顺次
填空题 制备TiO2等介质薄膜可以采用()溅射方法。
填空题 在硅片上热氧化0.5μm厚的氧化层时,硅片增厚了()μm。
填空题 热氧化工艺本质上是在硅与二氧化硅()发生的硅的氧化反应。