问答题 本征硅在室温时电子和空穴迁移分别为1350cm2/V.s和500cm2/V.s，当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率比本征硅的电导率增大了多少倍？

问答题 300K时，锗的本征电阻率为47Ω.cm，如电子空求本征锗的载流子浓度分别为3900cm2/V.s和1900cm2/V.s，求本征锗的载流子浓度。

问答题 设硅中施主杂质电离能ΔED=0.04eV，施主杂质浓度ND=1016/cm3，以施主杂质电离90%作为达到强电离的最低标准，试计算保持饱和杂质电离的温度范围。