问答题 设硅中施主杂质电离能ΔED=0.04eV，施主杂质浓度ND=1016/cm3，以施主杂质电离90%作为达到强电离的最低标准，试计算保持饱和杂质电离的温度范围。

问答题 设锗中施主杂质的电离能ΔED=0.01eV，在室温下导带底有效状态密度Nc=1.04×1019/cm3，若以施主杂质电离90%作为电离的标准，试计算在室温（T=300K）时保持杂质饱和电离的施主杂质浓度范围。

问答题 一硅半导体含有施主杂质浓度ND=9×1015/cm3，和受主杂质浓度NA=1.1×1016/cm3，求在T=300K时（ni=1.3×1010/cm3）的电子空穴浓度以及费米载流了浓度。