多项选择题
消除鸟嘴效应的方法有（）。
A.选择合适的掩蔽膜B.在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化C.退火D.高压氧化工艺
单项选择题 湿氧氧化采用的氧化水温是（）。
单项选择题 硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。
单项选择题 下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）
