问答题 设电子迁移率为0.1cm2/V.s，硅的电子有效质量mcn=0.26m0，如加以强度为104V/m的电场，试求平均自由时间和平均自由程。

问答题 在500g的硅单晶中掺有4.5×10-5g的硼，设杂质全部电离，求该材料的电阻率（设μp=400cm2/V.s），硅单密度为2.33g/cm3，硼的原子量为10.8）。

问答题 本征硅在室温时电子和空穴迁移分别为1350cm2/V.s和500cm2/V.s，当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率比本征硅的电导率增大了多少倍？