单项选择题
MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为()。
A.有源区B.场区C.衬底区D.阱区
单项选择题 氧化层中掺杂了硼杂质,一般称为()。
单项选择题 如果制作栅氧结构,一般采用的方法是()。
判断题 CMOS电路是通过有源区进行隔离的,属于绝缘介质隔离。