判断题 STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。

判断题 光刻时，必须将硅片与掩模版进行对准，不同的掩模版之间也要对准，可以采用仔细观察的方法。

判断题 形成接触孔之前，需要先淀积一层PSG或BPSG材料，然后再该层材料上刻蚀出窗口作为接触孔。