单项选择题
氧化层中掺杂了硼杂质,一般称为()。
A.PSGB.BPSGC.BSGD.FSG
单项选择题 如果制作栅氧结构,一般采用的方法是()。
判断题 CMOS电路是通过有源区进行隔离的,属于绝缘介质隔离。
判断题 STI技术相比LOCOS工艺,占地面积更小,而且不会产生鸟嘴效应。