单项选择题
在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？（）
A.（100）B.（111）C.（110）D.（211）
填空题 在硅表面LPCVD-Si3N4之前，都会先热生长薄氧化层，它被称为（）层。
填空题 铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性（）的特点。
填空题 干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、（）刻蚀三种。
