多项选择题
常压的硅外延方法有（）。
A.四氯化硅氢还原法B.三氯氢硅氢还原法C.二氯氢硅烷法D.硅烷热分解法
单项选择题 刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）
单项选择题 注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）
单项选择题 掺杂后退火时间一般在（）。
