问答题
什么是LOCOS和STI（写中英文全称），为什么在高级IC中STI取代了LOCOS，列举STI的工艺步骤。
LOCOS：硅的局部氧化隔离 local oxidation of ......
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问答题 解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么？
问答题 描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响。
问答题 解释HDPCVD，它在IC中有什么优势？
