问答题
解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么？
它是采用材料填充高深宽比的间隙并且无空洞形成的基础。 3:1
问答题 描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响。
问答题 解释HDPCVD，它在IC中有什么优势？
问答题 CVD过程中采用等离子体的优点有哪些？
