单项选择题
麒麟980芯片采用的工艺水平是()。
A.10nmB.5nmC.7nmD.9nm
单项选择题 形成B的超浅结掺杂(剂量为QB)时,为了避免沟道效应可否先注入锑(剂量为QSb)再注入硼?实际注入了多少硼?()
单项选择题 在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是()。当偏离晶向()ψc注入时,可以避免。
多项选择题 关于氧化速率下面哪种描述是正确的?()