单项选择题
形成B的超浅结掺杂（剂量为QB）时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？（）
A.可以，实际注硼：QBB.不可以C.可以，实际注硼：QB+QSbD.可以，实际注硼：QB-QSb
单项选择题 在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。
多项选择题 关于氧化速率下面哪种描述是正确的？（）
单项选择题 在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？（）
