单项选择题
低压化学气相淀积的英文缩写是()
A.APCVDB.PECVDC.LPCVDD.HDPCVD
单项选择题 在高温下洁净的硅片表面和氧化剂发生反应生成二氧化硅薄膜的方法是()
单项选择题 以下属于金属膜的是()
单项选择题 硅片倒角时,国际上通用的倒角规格θ有两种,分别是()°和()°。