判断题
MOCVD通常用于制备外延薄膜。
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判断题 温度越高,吸附原子解吸附越快,所以扩散距离越短。
判断题 溅射镀膜中,气压越高,入射离子越多,因此沉积速率越快。
判断题 磁控溅射可以是直流溅射,也可以是射频溅射。