多项选择题
在现代Si CMOS IC金属化工艺中，Ti和TiN的作用是（）。
A.TiN是势垒层（阻挡层）B.两个都是导电层C.Ti是粘结层或焊接层D.TiN防反射层
多项选择题 Poly-Si gate的刻蚀应采用什么特性和什么方法的刻蚀？（）
多项选择题 在STI工艺中，缓冲氧化层和氮化硅采用工艺技术正确的是（）。
多项选择题 1990’s CMOS IC 工艺技术特征是（）。
