多项选择题
Poly-Si gate的刻蚀应采用什么特性和什么方法的刻蚀？（）
A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.各向同性刻蚀D.各向异性刻蚀
多项选择题 在STI工艺中，缓冲氧化层和氮化硅采用工艺技术正确的是（）。
多项选择题 1990’s CMOS IC 工艺技术特征是（）。
多项选择题 Stepper的优点有（）。
