多项选择题
P在两歩扩散工艺中，第二步再分布的同时又进行了热氧化（kp=10），这会给再分布扩散带来哪些影响？（）
A.P扩散速度加快B.扩入Si的P总量下降C.在SiO2/Si界面Si一侧的P耗竭（是指低于SiO2一侧）D.在SiO2/Si界面Si一侧的P堆积（是指高于SiO2一侧）
多项选择题 硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？（）
单项选择题 多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备？（）
单项选择题 基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止，（）。
