单项选择题
多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备？（）
A.磁控溅射B.VPEC.LPCVDD.APCVD
单项选择题 基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止，（）。
单项选择题 CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜（如SiO2）的密度（）
单项选择题 看图判断下列描述是否正确？（）
