单项选择题
在通常情况下,GaN呈()型结构。
A.纤锌矿型; B.闪锌矿型; C.六方对称性; D.立方对称性
单项选择题 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
单项选择题 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
单项选择题 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。