单项选择题
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
单项选择题 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
单项选择题 与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）
单项选择题 表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；
