单项选择题
Si晶体的第一布里渊区是个()体。
A.正菱形12面体B.球体C.截角8面体D.立方体
单项选择题 衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在()。
单项选择题 在MOS缩微中,下列参数()最易按缩微因子成比例改变。
单项选择题 在恒定电压缩微中,如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k(k>1),则功耗密度为原器件的()倍。