单项选择题
衬源短接的增强型NMOSFET，VDS>0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在（）。
A.漏区B.沟道区靠近漏区一侧C.沟道区靠近源区一侧D.源区
单项选择题 在MOS缩微中，下列参数（）最易按缩微因子成比例改变。
单项选择题 在恒定电压缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则功耗密度为原器件的（）倍。
单项选择题 （）会使亚阈值摆幅变小。
