单项选择题
以下哪一个不是连续薄膜的生长方式？（）
A.熔结B.原子填充C.吞并D.原子团迁移
判断题 对于LPCVD Si3N4工艺，NH3/DCS比例越小颗粒改善越明显。（）
判断题 在LPCVD Si3N4制程中，增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。（）
判断题 Si3N4可以被用做硅片的钝化保护层，也被用做掩蔽膜，还可应用于电容。（）
