判断题
对于LPCVD Si3N4工艺，NH3/DCS比例越小颗粒改善越明显。（）
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判断题 在LPCVD Si3N4制程中，增加总压力和DCS的分压可以增加淀积速度。（）
判断题 Si3N4可以被用做硅片的钝化保护层，也被用做掩蔽膜，还可应用于电容。（）
判断题 在CVD反应中低压的作用就是使反应物更快地到达衬底表面。（）
