单项选择题 B-T实验主要是用来测量（）。

单项选择题 某理想MIS（n型半导体衬底）结构中，若在金属栅上加足够高正电压，则以下（）说法错误。

单项选择题 考虑均匀基区硅双极晶体管，T=300K，Nb=5E16cm-3，Nc=2E15cm-3。假定冶金结宽度为0.70um。计算C-B结电压从2V变化到10V时，中性基区宽度的变化（）。