单项选择题
某理想MIS（n型半导体衬底）结构中，若在金属栅上加足够高正电压，则以下（）说法错误。
A.以下说法都不对B.半导体表面势为正C.半导体表面处于积累状态D.半导体表面能带向下弯曲
单项选择题 考虑均匀基区硅双极晶体管，T=300K，Nb=5E16cm-3，Nc=2E15cm-3。假定冶金结宽度为0.70um。计算C-B结电压从2V变化到10V时，中性基区宽度的变化（）。
单项选择题 对双极型晶体管特征频率影响最大的通常是（）。
单项选择题 关于发射结势垒电容CTe和扩散电容CTe充放电对发射效率g的影响，下列说法中正确的是（）。
