问答题 一块n型硅材料，掺有施主浓度ND=1.5×1015/cm3，在室温（T=300K）时本征载流浓度ni=1.3×1012/cm3，求此时该块半导体的多数载流子浓度和少数载流子浓度。

问答题 本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为：，式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题：  （1）设N=1023cm-3，k=8.6″×10-5eV.K-1时， Si（Eg=1.1eV），TiO2（Eg=3.0eV）在室温（20℃）和500℃时所激发的电子数（cm-3）各是多少？ （2）半导体的电导率σ（Ω-1.cm-1）可表示为，式中n为载流子浓度（cm-3），e为载流子电荷（电荷1.6×10-19C），μ为迁移率（cm2.V-1.s-1）当电子（e）和空穴（h）同时为载流子时， 假定Si的迁移率μe=1450（cm2.V-1.s-1），μh=500（cm2.V-1.s-1），且不随温度变化。求Si在室温（20℃）和500℃时的电导率。

问答题 根据缺陷化学原理推导 （1）ZnO电导率与氧分压的关系。  （2）在具有阴离子空位TiO2-x非化学计量化合物中，其电导率与氧分压的关系。  （3）在具有阳离子空位Fe1-xO非化学计量化合物中，其电导率与氧分压的关系。  （4）讨论添加Al2O3对NiO电导率的影响。