单项选择题
关于MOSFET模型论述错误的是（）。
A.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了VDSatB.体电荷模型中，衬底掺杂浓度越高，其预测的IDS与平方律简单模型相比误差越低C.体电荷模型中，无统一的VTD.与体电荷模型相比，平方律简单模型高估了漏源电流IDS
单项选择题 不会引起MOSFET衬底电流的效应是（）。
单项选择题 在理想MIS结构（n型半导体）开启电压VT的计算中，没有考虑强反型少子（即空穴）电荷的原因是（）。
单项选择题 双极型晶体管中开关时间常数最大的通常是（）。
