填空题
由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。
正；P；N
填空题 P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
填空题 N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
填空题 对高频晶体管结构上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。
