问答题
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜,溅射源漏......
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问答题 简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
问答题 简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
问答题 简述有机薄膜晶体管的特点。