多项选择题
对移相掩膜(PSM)表述正确的是()。
A.使光通过后产生180度相位差B.提高分辨率C.消除了图形边缘的衍射
多项选择题 对正性光刻胶特性表述正确的是()。
多项选择题 提高光刻分辨率的途径有()。
多项选择题 光刻工艺流程中后烘的作用是()。